SDRAM，DRAM，SRAM，DDR的概念

一：SDRAM

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。

SDRAM的一些参数：

（1）容量。SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示。例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit，表明该存储器芯片的容量为16 M字节。或128 M bit。　　

（2） 时钟周期。它代表SDRAM所能运行的最大频率。显然，这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。　　对于一片普通的PC-100 SDRAM来说，它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10  ns，即可以在100 MHz的外频下正常工作。例如芯片上标有7.5，表示它可以运行在133MHz的频率上。

（3） 存取时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10 ns，但这可不同于系统时钟频率。比如芯片厂家给出的存取时间为7 ns而不是存取周期。因此，它的系统时钟周期要长一些，例如10 ns，即外频为100 MHz。

（4） CAS的延迟时间。这是列地址脉冲的反应时间。现在大多数的SDRAM(当外频为100 MHz时)都能运行在CASLatency(CL)＝2或3的模式下，也就是说，这时它们读取数据的延迟时间可以是两个时钟周期也可以是三个时钟周期。在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL＝2这一默认的模式运行。　　

（5）综合性能的评价。对于PC 100内存来说，就是要求当CL＝3的时候，tCK(时钟周期) 的数值要小于10 ns，tAC要小于6 ns。至于为什么要强调是CL＝3的时候呢，这是因为对于同一个内存条，当设置不同CL数值时，tCK的值很可能是不相同的，当然tAC的值也是不太可能相同的。总延迟时间的计算公式一般为：　　总延迟时间＝系统时钟周期×CL模式数＋存取时间例如，某PC100内存的存取时间为6 ns，我们设定CL模式数为2(即CAS Latency＝2)，则总延迟时间＝10 ns×2＋6 ns＝26 ns。这就是评价内存性能高低的重要数值。

主要应用于FPGA、内存中；

二：SRAM

SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

三：DRAM

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）

四：DDR

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。

它们之间的区别：

SRAM：静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。

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